应力作用下Ru2Si3电子结构和光学性质的第一性原理研究

摘要：

　　采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functioilaltheory)赝势平面波方法，对应力下Ru2si3的能带结构，态密度及光学性质进行了理论计算并做了详细比较。结果表明：随着Ru2si3正应力的逐渐增大，导带向高能方向移动，带隙Eg明显展宽；随着Ru2si3负应力的逐渐增大，带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。

关键词： 半导体材料 硅化物 电子结构 光学性质

作者: 崔冬萌 贾锐 陈保钦 谢泉

作者单位: 中国科学院微电子研究所 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州大学理学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届北京科技交流学术月节能与低功耗集成电路技术国际研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 102-110

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）