一种极低功耗的CMOS带隙基准源
随着SoC在便携产品中应用的迅猛发展，低功耗技术变得越来越重要。本文采用了0.18μm的标准CMOS工艺，设计了一种无电阻，工作在亚阈值区的低功耗，小面积的CMOS电压基准源。这个带隙基准可以灵活运用于极低功耗的SoC系统中。这个电路的电源电流大约为150nA，可以在1.5～3.3V之间的电源电压下工作，基准源的输出电压的线性度为44.4ppm/V。当电源电压为1.5V，室温下带隙基准电路的输出电压为1.1126V，100Hz频率下的电源抑制比为-66dB，当温度在-20℃与80℃之间变化时，输出电压的温度系数是55ppm/℃。整个带隙基准的芯片面积是0.011mm2。
集成电路 带隙基准源 低功耗设计 电路结构
徐冠南 贾晨 陈虹 张春
清华大学微电子学研究所
国内会议
第十三届北京科技交流学术月节能与低功耗集成电路技术国际研讨会
北京
中文
161-167
2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）