MEMS单片集成新方法及多孔硅牺牲层技术的研究

摘要：

传统的封闭式MEMS器件制造方式,使得与标准IC工艺兼容的单片集成较为困难.本文提出一种新的MEMS单片集成方法—后微机械开放式制造方式,即先做集成电路和敏感元件,利用相应的电路保护技术保护电路,再利用基于微机械的多孔硅牺牲层技术进行微机械加工,实现MEMS器件的最佳集成.并对多孔硅牺牲层工艺进行了研究.

关键词： 多孔硅 牺牲层 微电子机械系统 MEMS 单片集成

作者: 王晓红 刘理天 李志坚 涂相征

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 21-23

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）