MOSICESD保护网络中多晶硅限流电阻的ESD性能研究

摘要：

该文研究了MOSICESD保护网络中多晶硅（以下简称多晶）限流电阻的ESD失效模式， 并从理论上分析了多晶电阻的ESD失效模型；在此基础上进行了试验研究，试验结果 与理论分析吻合较好。

关键词： 多晶硅电阻 ESD保护网络 ESD保护单元

作者: 常金芸 刘学如

作者单位: 部第二十四研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会电子产品防护技术”98研讨会

会议地点: 庐山

会议语种:中文

页码: 210～217

在线出版日期: 1998-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）