热丝助PECVD低温多晶硅薄膜制备的研究
将热丝(钨丝)作为催化器平行地引入等离子体增强化学气相沉积,建立了热丝助PECVD沉积系统.在固定沉积气压、氢稀释度和射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度T<,f>对硅薄膜晶化的影响.结果表明随着T<,f>的提高,深积速率、硅薄膜晶化程度和晶粒大小明显增加,呈现半高宽0.2度(220)优化生长方向,获得了高温晶态比(0.95)的多晶硅薄膜.Raman散射谱Si-Si TO峰位于520.5cm<”-1>,半高度为7.1cm<”-1>,表明热丝的引入有很好的晶化增强效果.
多晶硅薄膜 薄膜制备 等离子体化学气相沉积 钨丝 薄膜太阳电池
冯勇 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 韩一琴
中国科技大学研究生院(北京)
国内会议
昆明
中文
178-180
2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）