在SiO<,2>和Si<,3>N<,4>膜上用RTCVD法沉积多晶硅薄膜的比较研究

摘要：

该文报道了在ＳｉＯ〈，２〉和Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉膜上用ＲＴＣＶＤ法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果，在这两种薄膜上都制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜。发现两者在薄膜的结构和结晶取向上都有很大的不同。用ＲＴＣＶＤ法在ＳｉＯ〈，２〉膜上沉积的多晶硅膜的晶粒较大，但晶粒间的空隙也较大，晶粒的择优取向为＜１１１＞；而在Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉膜上沉积的多晶硅薄膜的晶粒尺寸较小，但晶粒致密，晶粒间基本无空隙，晶粒的择优取向为＜１００＞。通过这些研究，为制备多晶硅薄膜太阳电池奠定了基础。

关键词： 多晶硅薄膜 化学汽相沉积 衬底

作者: 王文静 许颖 罗欣莲 于民

作者单位: 太阳能研究所 师范大学低能物理所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国光伏技术学术研讨会

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 99～102

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）