多晶硅薄膜应力特性研究

摘要：

该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂黉度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退炎（ＲＴＡ）可以使其压应力检驰，并可使其转变成为该文征张应力。

关键词： 多晶硅 薄膜 应力 特性

作者: 张国炳 郝一龙 孙玉秀 陈文茹 肖志雄 王铁松

作者单位: 大学微电子学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 174～177

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）