PCVD法制备多晶硅薄膜中退火过程的研究

摘要：

在PCVD系统中，用射频辉光放电方法沉积本征a-Si：H薄膜，再经退火固相晶化而形成多晶硅薄膜。通过寻找最优的退火温度，在硅衬底上经过550℃温度、3h退火而制备了晶粒尺寸大于1um的多晶硅薄膜。

关键词： 多晶硅 薄膜 退火 固相晶化

作者: 姚若河 林璇英 吴萍 余楚迎 林揆训 石旺舟

作者单位: 大学物理学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 449～450

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）