Si上外延SiC缓冲层的生长及其对外延层的影响
用Ｃ〈，２〉Ｈ〈，４〉在不同条件下将Ｓｉ（１００）衬底碳化形成ＳｉＣ的缓冲层，并在其上生长了ＳｉＣ，研究了碳化层对外延生长的影响。在固定温度下碳化洁净的Ｓｉ（１００）面，形成了多晶ＳｉＣ缓冲层；在升温过程碳化或保留升温过程形成的ＳｉＣ进一步碳化，形成了孪晶ＳｉＣ缓冲层。多晶缓冲层上外延的ＳｉＣ为多晶，在孪晶缓冲层上外延ＳｉＣ时，最初为孪晶，随着生长时间的延长，孪晶消失，形成单晶ＳｉＣ。外延层的结构受缓冲层的结构的影响。
多晶 缓冲层 硅 外延生长 碳化硅 半导体材料
王引书 李亚闽 张方方 林兰英
科学院半导体研究所
国内会议
安徽芜湖市
中文
248～250
1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）