RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究

摘要：

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手，以0.6umnmos为基础，设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路。电路在1.5V电压下，中心频率1.5GHz时峰值增益为24dB，浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声。

关键词： RF 芯片 浮体 放大器

作者: 海潮和 靳伟

作者单位: 中国科学院微电子中心 香港科技大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 150～153

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）