基于并五苯的有机光敏晶体管界面修饰和光诱导存储效应
半导体层和绝缘层之间的界面对研究场效应晶体管中电荷传输机理和器件性能的提高具有重要意义。本文使用旋涂在绝缘层表面的20nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA) 薄膜作为界面修饰层，使得基于 并五苯的有机光敏晶体管迁移率由修饰前的0.16cm 2/Vs 提高到了0.24cm2/Vs ，器件的光稳定性在经过界面修饰后得到了提高，在100 mW/cm2的强光照下阈值电压只漂移了3.5V ，界面修饰的另外一个优点是操作电压降低了约3.5V 。在相同的条件下，我们发现没有修饰的器件其迁移率在强光照下基本没有变化， 而阈值电压的漂移量很大，从暗室下的5V漂移到光照下的20V ，这可能是光生激子裂分后电荷被捕获所 致。器件阈值电压的漂移量、最大的光响应度和信噪比分别是15V、51mA/W和1729 。这些结果预示了有机光敏晶体管在存储器方面的应用，而且这种存储器因其光写入电擦除过程而具有新颖性。
光敏半导体 界面结构 光响应度 光电子学
刘晓惠 董桂芳 王立铎 邱勇 张复实
有机光电子和分子工程教育部重点实验室,清华大学化学系,中国 北京 100084
国内会议
哈尔滨
中文
88-92
2011-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）