利用电镀铜填充微米盲孔与通孔之应用
电子产品之高密度内连结制程技术，从上游的半导体制程到中游的封装基板制程，一直到下游的电路板制程，似乎都需要仰赖电镀铜填孔技术。因此，近几年来，电镀铜填孔技术日趋备受重视，相关专秘的电镀配方、技术、设备以及周边配套的仪器设施等，如雨后春笋般地不断发展，因此对于以往常用但未能深入了解的电镀铜技术，有了跃进式的突破与探讨。有趣的是，这些技术发展，似乎有着轮回应用的走势，即下游电路板的电镀铜制程技术的发展似乎渐渐朝向半导体制程技术的模式在进行，因此衍生出电镀铜填充盲孔的制程技术；而上游的半导体制程以往没有所谓的镀通孔，如今却因为3D芯片整合的需要，出现了所谓的穿硅孔(TSV)，而所谓的TSV，其实与镀通孔(PTH)具有类似的制程步骤以及相同的功能与目的，只是介电材料、设备等不同而已。本文将针对目前电镀铜填充微米级盲孔与通孔的相关技术作概略式的介绍与回顾。
电镀铜 填充微米盲孔 填充微米通孔 添加剂作用原理
窦维平
化学工程学系,国立中兴大学,台中 40227,台湾
国内会议
上海
中文
188-194
2011-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）