PECVD生长SiO2薄膜的特性研究

摘要：

　　研究了等离子增强化学气袍淀积(PECVD)制备SiO2薄膜工艺的反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压力、基片温度等工艺参数对沉积速率的影响，并进行了一些理论分析。同时选择几种沉积速率比较高的程序进行LED芯片样品制作，发现SiO2薄膜沉积速率过快，会对其膜的腐蚀速率和绝缘性有一些不良影响，最后给出了比较合适的SiO2薄膜沉积程序。

关键词： 等离子增强化学气袍淀积 SiO2薄膜 LED芯片 沉积程序

作者: 刘伟 郑远志 武胜利 韩小翠 闫晓红

作者单位: 大连美明外延片科技有限公司,大连经济技术开发区黄海大道1号 116600

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国国际半导体照明论坛

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 77-80

在线出版日期: 2011-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）