斜四边形GaN基LED器件光提取效率分析

摘要：

　　在研究GaN基LED芯片外形结构对光提取效率影响机理的基础上，提出了一种新的斜四边形衬底外形结构，在理论研究了该结构中侧面倾斜角度对光子提取效率的影响后，通过正反面划片工艺实现样品的制作，结果表明斜面倾斜角度为60°时，轴向光强提高了31.99％。同时本文进一步分析和验证了LED芯片外形结构对封装后LED器件出光效率的影响。

关键词： 斜四边形GaN基 LED芯片 光提取效率 外形结构

作者: 张威 罗红波 张建宝 王江波

作者单位: 华灿光电股份有限公司,武汉东湖开发区滨湖路8号,430223

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国国际半导体照明论坛

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 225-228

在线出版日期: 2011-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）