反向击穿电压对GaN基LED成管可靠性的影响分析

摘要：

　　反向击穿电压是反映LED芯片特性的重要参数，通过对比成管在老化一定时间后漏电流的变化，发现反向击穿电压低的芯片封装的成管更容易漏电失效。文章认为反向击穿电压一定程度表征LED芯片外延薄膜晶体的有源区缺陷，缺陷易形成非辐射复合中心，从而引起更大缺陷。这为客户快速评判LED器件可靠性提供一定参考依据。

关键词： GaN基LED成管 反向击穿电压 特性参数 有源层缺陷 非辐射复合中心

作者: 蔺福合 宋勤勤 孙雪 沈燕 李树强 徐现刚

作者单位: 山东华光光电子有限公司,山东 济南 250101

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国国际半导体照明论坛

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 269-272

在线出版日期: 2011-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）