新型碳化硅电力电子器件的测试与对比研究

摘要：

　　对新型材料器件——碳化硅MOSFET、碳化硅JFET、碳化硅BJT进行了静态和动态的测试，并和相同电压电流等级的硅材料器件(Si IGBT、Si MOSFET、CooIMos)做了对比分析、同时也在碳化硅器件之间做了一些对比研究。着重介绍了碳化硅器件优良的静态特性、温度特性以及开关特性。

关键词： 碳化硅器件 静态特性 温度特性 开关特性 电力电子技术

作者: 周伟成 蔡超峰 邓永辉 陈敏 郭清 盛况

作者单位: 浙江大学电气工程学院,浙江省杭州市西湖区浙江大学玉泉校区电气工程学院,100086

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届中国国际半导体照明论坛

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 317-322

在线出版日期: 2011-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）