衬底温度对GaSb多晶薄膜的影响

摘要：

　　GaSb的禁带宽度是0．72eV，是热光伏电池的理想材料。本文采用共蒸发的方法在玻璃衬底上生长GaSb多晶薄膜。通过XRD谱和Hall测试，研究了衬底温度对薄膜的结构特性和电学特性的影响。研究表明：随衬底温度的升高，晶粒尺寸逐渐增大，载流子迁移率逐渐升高，载流子浓度逐渐下降。

关键词： GaSb多晶薄膜 共蒸发 结构特性 电学特性 衬底温度 材料制备 热光伏电池

作者: 阮建明 隋妍萍 李涛 蔡宏琨 张德贤

作者单位: 南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系 天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第29届全国化学与物理电源学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 227-229

在线出版日期: 2011-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）