结合碳热还原制备重结晶多孔碳化硅
研究为了降低生产能耗和成本,将碳热还原法和再结晶相结合,制备出低成本、高性能、可控气孔率的碳化硅多孔陶瓷,其最低烧结温度是1800℃。
碳热还原 重结晶多孔碳化硅 制备工艺 烧结温度 可控气孔率
杨建锋 刘虎林 史永贵 刘荣臻
西安交通大学,材料科学与工程学院,金属材料强度国家重点实验室,710049,西安
国内会议
2011中国(景德镇)高技术陶瓷国际论坛暨第十届全国工程陶瓷学术年会
江西景德镇
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2011-10-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)