会议专题

结合碳热还原制备重结晶多孔碳化硅

  研究为了降低生产能耗和成本,将碳热还原法和再结晶相结合,制备出低成本、高性能、可控气孔率的碳化硅多孔陶瓷,其最低烧结温度是1800℃。

碳热还原 重结晶多孔碳化硅 制备工艺 烧结温度 可控气孔率

杨建锋 刘虎林 史永贵 刘荣臻

西安交通大学,材料科学与工程学院,金属材料强度国家重点实验室,710049,西安

国内会议

2011中国(景德镇)高技术陶瓷国际论坛暨第十届全国工程陶瓷学术年会

江西景德镇

中文

57

2011-10-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)