基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器

摘要：

　　本文制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作，主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5×400μm2，对常温下氢气浓度为2 ppm至6216 ppm的氢气／氮气混合气进行了检测。结果表明，在Vcs=-1.5 V，VDS=1 V的工作偏压下，10倍的氢气浓度变化平均引起33.9％的灵敏度变化量。同时，器件对2 ppm的氢气具有6.3％的灵敏度，表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。

关键词： AlGaN/GaN HEMT结构 氢气传感器 灵敏度 泄漏检测

作者: 郭智博 汪莱 郝智彪 罗毅

作者单位: 清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011北京真空学会真空学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 11-14

在线出版日期: 2011-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）