射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料研究

摘要：

　　本文采用射频分子束外延(RF-MBE)方法生长了氮化铝薄膜，并定量表征了其缺陷情况。结果表明，保持富Al条件，并通过适当提高生长温度来促进材料结晶，有利于抑制刃型位错的产生，但会引入更多的氧杂质。在富Al条件下进行二维生长可同时增强Al和N原子的迁移，使螺型位错减少，并消除铝空位。但是，氮空位却是难以通过改变外延条件来彻底消除的。

关键词： 射频分子束外延 氮化铝薄膜 位错密度 点缺陷 阴极荧光

作者: 胡健楠 郝智彪 任凡 张辰 罗毅

作者单位: 清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室 清华大学电子工程系,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011北京真空学会真空学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 15-21

在线出版日期: 2011-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）