氮化镓异质结高能电子辐照的电子背散射衍射研究

摘要：

　　利用2MeV电子辐照氮化镓(GaN)异质蛄，辐照剂量分别为1×1015／cm2和5×1015／cm2。电子背散射衍射(EBSD)菊池图的图像质量IQ值随辐ZI(剂量的增加而增大，对应的表层应变或畸变戊小。扫描电镜能谱(SEM／EDS)分析发现氧原于在外延层心部发生害集，表明高能电子辐照在GaN外延层內引入晶格损伤。表层应变状态的改变与杂质扩散和辐照点缺陷的引入直接相关，其中晶格损伤是影响表面应变状态的主要因素。

关键词： 氮化嫁异质结 高能电子辐照 电子背散射衍射 表层应变状态改变 晶格损伤

作者: 马通达 左玉婷 张智慧 付雪涛 张崇宏 张丽卿 王新强

作者单位: 北京有色金属研究总院，北京100088 中国科学院近代物理研究所 甘肃兰州730000 北京大学，北京100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国背散射电子衍射(EBSD)技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 369-371

在线出版日期: 2011-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）