纳米压痕的分子动力学模拟
本文基于分子动力学模拟了纳米铜单晶薄膜的纳米压痕过程。采用Morse势来描述原子间相互作用。研究了温度和加载速率对纳米压痕过程的影响。结果表明:晶体中位错的滑移是导致感应力下降的原因。随着温度的升高,材料出现软化效应,纳米压痕曲线中的波动性增强。随着加载速率的提高,材料出现硬化效应,纳米压痕曲线中的波动性减弱。
纳米压痕 分子动力学 铜薄膜 加载率 硬化效应
于超 康国政
西南交通大学 力学与工程学院,四川 成都 610031
国内会议
四川遂宁
中文
118-121
2010-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)