高K介质/InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用

摘要：

本文提出了一种新型InP 界面控制层技术来降低高K 介质/InGaAs MOS 结构的界面态密度。通过 系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP 界面控制层的InGaAs MOS 结构的界面态密度比无界面控制层的MOS 结构下降了一个数量级，达到4×1011 cm-2eV-1 的水平。采 用此新型界面工程研制的20 微米栅长高迁移率InGaAs 金属氧化物半导体场效应晶体管显示出优越的器件 特性，其最大饱和电流大于40mS/mm，跨导大于20mS/mm。

关键词： 界面工程 高迁移率 MOSFET III-V 族半导体

作者: 常虎东 孙兵 卢力 刘洪刚

作者单位: 中国科学院微电子研究所 北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第13届全国青年材料科学技术研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 378-382

在线出版日期: 2011-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）