包含键环境修正的半导体锗的紧束缚势模型

摘要：

我们尝试构造一种在双中心近似基础上引入键环境修正的新的关于半导体锗的紧束缚势模型，该模 型考虑了环境原子对相互作用原子的屏蔽作用。通过测试计算，这一新的锗的势模型显示出较好的传递性， 可适用于研究一些锗的低维体系比如表面、纳米线等。

关键词： 紧束缚势模型 半导体 键积分 原子轨道

作者: 李鹏飞 潘必才

作者单位: 中国科学技术大学物理系,安徽,合肥 230026 中国科学技术大学物理系,安徽,合肥 230026;中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室,安徽,合肥 230026

会议类型: 国内会议

会议名称: 第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第13届全国青年材料科学技术研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 748-753

在线出版日期: 2011-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）