钯取代磷钨杂多酸／聚酰胺-胺复合膜的制备及电催化性能
通过层层静电自组装法在基底上原位制备了钯取代Keggin型磷钨杂多酸／聚酰胺-胺多层膜修饰电极．利用X射线光电子能谱和扫描电子显微镜等手段对多层膜的组成和表面形貌进行了表征．结果表明，经杂多酸阴离子和聚酰胺-胺交替组装形成的多层膜生长均匀且表面平整．用循环伏安法研究了多层膜的形成过程及电化学性能．测试结果表明： 多层膜在0．4～0．6 V电位范围内出现一对归属于Pd(Ⅱ)／Pd(Ⅰ)的氧化还原峰．该峰随pH值和扫描速率的改变而发生一定程度的形变;在pH=4的缓冲溶液中，多层膜修饰电极的稳定性良好且对BrO3-和H2O2的还原反应表现出良好的催化活性．
钯取代型杂多酸 层层自组装 聚酰胺-胺 电催化还原 化学修饰电极 多层膜
陈丽芳 李忠水 黄小妹 林深
福建师范大学化学与材料学院,福建省高分子材料重点实验室,福建福州 350007
国内会议
厦门
中文
12-16
2011-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）