沟槽栅场终止型IGBT器件形貌结构的开发
近年来随着ICBT器件技术的快速发展，采用沟槽栅和场终止(FS)的器件结构成为新一代技术的亮点。本文提出了一种新型的沟槽栅制造方法和一种超薄硅片加工方法，并对器件的终端结构进行了讨论；也探讨了在沟槽栅FS-IGBT器件研发过程中遇到的器件形貌结构上的问题，分析了这些问题所发生的原因，提出了针对这些问题的解决方案，实现了沟槽栅FS-IGBT器件的形貌结构。文中所阐述的问题均来自于研发实践，所确定的解决方案也在器件研发过程中得到了验证。
IGBT器件 沟槽栅 形貌结构 制造方法
饶祖刚 王锐 陆界江 赵雁 高景倩
天津中环半导体股份有限公司
国内会议
第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议
天津
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15-19
2011-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）