应用全自动VPD-ICPMS设备测试8英寸硅抛光片表面金属离子含量

摘要：

随着半导体器件加工尺寸的缩小，对抛光片表面金属离子含量的要求逐渐增加。传统手动VPD-ICPMS法测试金属离子含量已无法满足高规格半导体器件的生产。本文利用全自动VPD配合ICPMS分析的方法实现低于1×109atom/cm2的最低检出限，同时能实现超过96％的回收率，满足高精度半导体加工的测试要求，类似的测试在国内外尚属首次。

关键词： 硅抛光片 表面金属离子 含量测试 半导体加工

作者: 王国瑞 吴晓明 张宇 时金侠 李翔

作者单位: 天津中环领先材料技术有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 90-93

在线出版日期: 2011-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）