区熔晶体自动生长的研究

摘要：

自动化是产品的标准化和规模化生产的基础，晶体自动生长为区熔大直径单晶的生产奠定基础。本文采用直径法控制区熔晶体自动生长，本方法设定生长区间和输入控制参数，当直径大于50mm时，开通控制程序，程序根据测量到的单晶直径判断生长区间，调用该区间参数并计算，根据参数和计算值完成控制，一个区间生长完成后，程序进入下一个区间，直至进入到等径生长阶段。采用本方法和系统，大幅提升区熔法大直径单晶的生产能力，减小区熔人为造成的失误及损失，降低区熔单晶生长的人工劳动强度，可有效提高单晶的质量。

关键词： PLC控制器 区熔单晶 晶体自动生长

作者: 靳立辉 李立伟 张雪囡

作者单位: 天津环欧半导体材料技术有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 140-143

在线出版日期: 2011-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）