氧化诱生缺陷引起的栅极漏电失效及其改善方法

摘要：

半导体集成电路和分立器件发展至今，MOS型结构的器件在集成电路和分立器件所用到的器件中仍然占据着绝对的多数和优势。不论其加工工艺差异多么大，但其结构都基本相同或相似，因栅极氧化层的质量造成的栅极漏电及其失效模式都基本相同。对于集成电路工艺中，由于器件基本都做在衬底硅的表层，所以衬底供应商需要在其直拉单晶衬底的表层通过工艺处理，形成一定厚度的无缺陷区(denude zone)；而对于分立器件，比如平面的垂直双扩散场效应管(VDMOS)，其器件往往做在一定厚度的外延层上。不论是无缺陷区(denude zone)或外延层，都在一定程度上限制了衬底杂质及缺陷对表层器件的影响，都无法绝对保证那些跟它们相关的氧化层质量劣化的现象不发生，比如氧化诱生缺陷(氧化诱生堆垛层错，Oxidation InducedStacking Faults)。对于半导体集成电路或分立器件制造的技术人员来说，在后续的加工工艺中，找到合适的改善方法，同样非常重要。本文将通过一个实际案例跟大家分享其中一种应对氧化诱生缺陷的改善方法

关键词： 栅极漏电 氧化诱生缺陷 改善方法 失效模式 半导体加工

作者: 刘闯 董彬 于波

作者单位: 天津中环半导体股份有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二十五届中国(天津)2011’IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议

会议地点: 天津

会议语种:中文

页码: 147-151

在线出版日期: 2011-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）