Si表面生长Ge量子点的研究进展

摘要：

本文从两方面即材料本身的性质和生长过程中外界环境对Ge量子点生长的影响进行分析，回顾了近年来多种改善量子点尺寸、密度和均匀性的方法。为我们以后生长有序的Ge量子点提供了依据。

关键词： 锗量子点 硅表面生长 掺杂改性 预沉积 原子台阶 退火温度

作者: 刘鹏强 王茺 杨宇

作者单位: 云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所，昆明，650091

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届云南省科协学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 74-80

在线出版日期: 2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）