EWT硅太阳电池背面PN区域界定的几种实现方法

摘要：

隐蔽型发射极穿孔(EWT)硅太阳电池以其独特的器件结构、较低的成本及较高的电池效率而备受光伏市场的关注。实现EWT硅太阳电池的关键技术是背面PN区域的界定。本文概述了激光刻槽法、丝网印刷法、二次扩散法及化学镀敷法等目前国际上研究较多的几种实现背面PN区域界定的方法，对其实现原理、制造技术及发展概况做了系统介绍和比较，并在此基础上提出了需要改进的问题及未来的发展方向。

关键词： 发射极穿孔 硅太阳电池 背面PN区域界定 激光刻槽 丝网印刷 二次扩散 化学镀敷

作者: 赵恒利 涂洁磊 姚丽 李雷 李光明 何京鸿 张树明

作者单位: 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室、太阳能研究所、云南省农村能源工程重点实验室云南省昆明市一二一大街298号,650092

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届云南省科协学术年会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 617-621

在线出版日期: 2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）