稀土In2O3掺杂改性锆钛酸铅压电陶瓷材料研究

摘要：

采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅压电陶瓷材料，使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、安捷伦4294等研究了In2O3对P2T压电陶瓷相组成，压电性能及显微组织的影响.结果表明，掺入适量In2O3可抑制晶粒长大，有利于晶粒均匀生长.掺杂量为0.3 wt％时，在1 200℃时获得最高的压电性能：d33=540 pC／N，εr=1 513，kp=0.764，Qm=1 819，tanδ=0.023.

关键词： 压电陶瓷 压电性能 掺杂改性 锆钛酸 固相烧结法

作者: 文忠 杨涛 张彩虹 谌青青 高扬 杨成韬

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 31-33,98

在线出版日期: 2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）