直流电场下无机纳米杂化PI薄膜击穿特性

摘要：

将杜邦(HN100和CR100)薄膜两面分别淀积厚度为20nm、直径为30mm的Au电极，采用阶梯式升压方式，对样品施加直流电场，直至样品被击穿.利用扫描电镜观察样品击穿孔区域微观结构，研究薄膜击穿机理和纳米颗粒的作用.实验结果表明，在相同击穿场强情况下，普通PI薄膜击穿孔直径大于纳米杂化薄膜击穿孔，形成一个较大的变形区;纳米杂化PI薄膜只是在击穿孔附近小范围被破坏，孔边缘出现层状结构.纳米颗粒引入表面积庞大的界面相，阻止薄膜微观结构破坏，达到提高材料介电性能的目的.

关键词： 击穿孔 直流电场 纳米颗拉 PI薄膜 击穿特性 微观结构 介电性能

作者: 殷景华 卜文斌 刘晓旭 陈明华 李广 冯宇

作者单位: 哈尔滨理工大学应用科学学院 哈尔滨 150080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 41-43

在线出版日期: 2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）