衬底温度对ZnO／PZT双层压电薄膜的影响

摘要：

采用射频反应磁控溅射法在PZT(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了高度C轴择优取向的ZnO薄膜，使用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究了衬底温度对ZNO薄膜微观结构和形貌的影响.结果表明，随着衬底温度的升高，晶粒逐渐长大，ZnO(002)择优取向明显改善，600℃生长的ZaO薄膜具有最好的结晶质量.一定范围内(300～600℃)提高衬底温度使晶粒大小均匀、致密，有利于改善表面粗糙度.500℃时表面粗糙度迭到最小3.994nm，同时薄膜压应力随温度升高有减小的趋势.

关键词： 衬底温度 双层压电薄膜 射频反应磁控溅射法 结晶质量 表面粗糙度 微观结构

作者: 谌青青 高扬 杨涛 文忠 杨成韬

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件家重点实验室 成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 54-56

在线出版日期: 2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）