BST薄膜可调FBAR器件的建模与仿真

针对BarSr1-xTiO3(BST)薄膜FBAR器件,提出一种固态封装型(SMR)体声波谐振器的等效电路模型,建立了纵向声速与机电耦合系数以及介电常数的关系式.在ADS软件中实现谈模型,并进行BST薄膜FBAR器件的仿真设计.研究了Bragg反射层、BST薄膜性质等时FBAJR器件性能的影响,设计了谐振频率为3 GHz的BST薄膜FBAR器件.仿真结果表明,厚度为1/4波长的4层M0和si02交叠而成的Bragg反射层能够对声漏损起到很好的抑制作用;机电耦合系数砰决定于BST薄膜的介电常数,机电耦合系数越大,串并联谐振频率之差越大,单个FBAR的3dB带宽越宽;外加场强的变化引起BST介电常数发生变化,导致FBAR的机电耦合系数(k2t)以及纵向声速(v)发生变化,串联谐振频率比并联谐振频率有更大的可调.
频率可调 薄膜体 声波谐振器 固态封装型 介电常数
杨天应 蒋书文 赵华 黎彬 姜斌 李言荣
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点试验室 成都 610054
国内会议
成都
中文
74-78
2010-11-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)