BaTiO3-BIT-Nb2O5无铅陶瓷介电性能的研究
利用传统固相法制备BaTiO3-BIT-Nb2O5系统陶瓷，采用X射线衍射仪、SEM、介电-温度测试仪等测试手段研究了掺杂不同浓度Nb2O5对BaTiO3陶瓷微观性能和介电性能的影响. 结果表明：BIT和Nb2O5的共掺杂可以发生A位和B位取代，使Nb5+固溶于晶体的晶格中，所有样品的结构都仍为钙钛矿结构. 在BaTiO3中掺杂BlT以便在烧结过程中引入液相助熔剂，促进传质.BIT亦可作为展宽剂，导致居里温度前移，介电性能有较大改善.而随着Nb2O5掺杂量的增加，陶瓷样品的晶粒存在异常长大的现象，使得陶瓷不够致密.陶瓷室温介电常数则随Nb2O5掺杂量的增加大体上呈现出减小的趋势，当Nb2O5掺杂量为1.5 wt％，BIT掺杂量为3.0 wt％时，陶瓷晶粒生长较为均匀，最大介电常数为3 787.
电容器陶瓷 介电性能 无铅陶瓷 微观性能 晶粒生长
王瑾菲 蒲永平 杨同青 杨公安
同济大学功能材料研究所 上海 杨浦区 200029 陕西科技大学材料科学与工程学院 西安 710021
国内会议
成都
中文
130-133
2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）