Co含量对Co-C纳米复合薄膜磁性能和磁电阻的影响

摘要：

采用磁控共溅射法制备了Co含量介于6．4at％~16．4at％的Co-C纳米复合薄膜。形貌观察表明，Co纳米颗粒均匀分散在C基体中，相邻Co颗粒被C基体较好地分离，样品呈现典型的颗粒薄膜结构。Co颗粒平均尺寸随Co含量增加而增大。薄膜在低温下磁性较强，在室温下磁性较弱：磁化强度随Co含量增加显著提高。当温度为4．2 K、磁场为90×79．6 kA·m-1时，在Co含量为6．4at％、8．3at％和9．6at％的Co-C薄膜中分别观察到9．1％、4．3％和1．9％的负磁电阻，为碳基磁性颗粒薄膜获得优异磁输运性能提供可能。受微结构变化影响，样品磁电阻值随Co含量的增加而下降。

关键词： 纳米复合薄膜 磁性能 磁电阻 磁控共溅射法

作者: 唐瑞鹤 吴章奔 姜鹤 杨志刚 张弛 水口将辉 高梨弘毅 杨白 于荣海

作者单位: 清华大学,北京 100084 日本东北大学金属材料研究所,日本 仙台 980-8577 北京航空航天大学,北京 100191

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛

会议地点: 景德镇

会议语种:中文

页码: 89-92

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）