强磁场条件制备ZnO纳米线研究
采用真空蒸镀方法制各金属Zn膜,在不同磁场强度(0 T-8 T)条件下高温氧化金属Zn膜生长了ZnO纳米线,用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,用x射线衍射方法(XRD)研究了样品的晶体结构,分析表明磁场对ZnO纳米线的形貌有影响。用室温光致发光谱(PL)研究了ZnO纳米线的光谱性质,结果表明ZnO纳米线的绿光发射与制各样品时磁场强度相关。论文研究表明在磁场条件下制备的ZnO纳米线,其形貌和发光性质都受到制备条件的影响。
氧化锌 纳米线 强磁场 真空蒸镀 发光性质
申彩霞 李梅 刘伟
清华大学,北京 100084
国内会议
景德镇
中文
116-118
2010-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)