Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能研究

摘要：

研究不同MoSi2含量对Si3N4-MoSi2复合陶瓷导电性能的影响，并对导电机制进行分析。Si3N4-MoSi2复合陶瓷的电阻率随着MoSi2含量增加而降低，呈“S”型曲线。当MoSi2含量为30％~35％(体积分数，下同)时，电阻率由1010Ω·cm骤降至10-3Ω·cm．MoSi2作为导电相在复合陶瓷中起导电通道作用，当其含量超过30％时，导电相形成连通网络结构，使复合陶瓷电阻率迅速下降。复合陶瓷中有新相Mo5Si3生成，Mo5Si3相同样起导电相作用。

关键词： 二硅化钼 氮化硅 导电陶瓷 电阻率

作者: 谭威 林旭平 马景陶 张宝清

作者单位: 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛

会议地点: 景德镇

会议语种:中文

页码: 196-198

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）