无压烧结Si2N20陶瓷的机械与介电性能

摘要：

以Si3N4、SiO2为初始原料，以MgO、Al2O3为烧结助剂，在N2保护气氛下，通过无压烧结制备了致密的Si2N2O陶瓷。烧结后的产物主晶相为Si2N2O，并含有少量的β-Si3N4和玻璃相，β-Si3N4相随着初始原料Si3N4／SiO2摩尔比的增大而增加。初始原料中Si3N4／SiO2摩尔比为l时，烧结后样品的相对密度相对较高，可达98．3％，抗弯强度达293 MPa。初始原料中Si3N4／SiO2摩尔比增大可降低制备的Si2N2O陶瓷的介质损耗，而介电常数主要与样品的相对密度有关。

关键词： 氧氮化硅 介电性能 氮化硅 氧化硅 无压烧结

作者: 林旭平 马景陶 谭威 张宝清

作者单位: 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛

会议地点: 景德镇

会议语种:中文

页码: 211-214

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）