AIN/CuTi体系润湿性及界面反应
采用座滴法系统研究了AIN/CuTi体系在真空中的润湿性,结果表明,随着Ti含量的增大、温度升高和保温时间延长,体系的润湿性均得到改善。当Ti含量(质量分数)高于15%时,在1200℃体系的润湿角减小到10°以下。在AIN/Cu10Ti(Ti含量为10%)体系中,在1200℃保温20 min,Ti扩散至AIN侧并与之发生反应,在钎料和AIN之间生成了厚度约50 μm主要由TiN组成的反应层,促进了CuTi钎料和陶瓷基体的界面结合,改善了体系的润湿性。但由于残余应力过大,在AIN中靠近反应层处生成了裂纹。
润湿性 界面反应 座滴法 陶瓷-金属复合材料
王川宝 李姝芝 李树杰
北京航空航天大学,北京 100191 北京自动化控制设备研究所,北京 100074
国内会议
景德镇
中文
353-356
2010-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)