先驱体转化法制备Diamond/SiC复合材料
以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,采用先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备出Diamond,SiC复合材料,重点研究制备工艺参数对复合材料致密度等性能的影响规律。结果表明:PCS裂解产生的β-SiC与基体中a-Sic和Diamond的界面相容性良好,有利于Diamond/SiC的致密化;模压压力、浸渍液浓度以及预氧化处理等制备工艺参数是影响Diamond/SiC复合材料致密度的主要原因;Diamond/SiC多孔坯经7个周期的PIP处理后可成为致密度较高的Diamond/Sic复合材料。
先驱体转化法 聚碳硅烷 复合材料 浸渍裂解 致密度 界面相容性
杨振亮 何新波 张昊明 曲选辉
北京科技大学,北京 100083
国内会议
景德镇
中文
383-386
2010-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)