射频反应磁控溅射法制备ZnO：Al透明导电薄膜的光电性能

摘要：

室温下采用射频(RF)反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积具有(002)择优取向的透明导电Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。XRD结果表明，制备的AZO薄膜为多晶，具有c轴择优取向。退火处理能提高其结晶度。在Al靶射频功率为40W，ZnO靶射频功率为250 W，氩气流量为15 mL／min的条件下，获得200 nm厚的薄膜电阻率约3．8×10-3 Ω·cm，在可见光范围内有很好的光透过率。

关键词： 射频反应磁控溅射 透明导电薄膜 AZO薄膜 光电性能 光透过率

作者: 徐绍亮 庞晓露 杨会生 张波萍

作者单位: 北京科技大学,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛

会议地点: 景德镇

会议语种:中文

页码: 451-454

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）