SiC合成中气相各成分的分离及分析

摘要：

目的：建立SiC合成中气相各成分的分析方法。 方法：通过3种预分离方法成功地分析测试了合成SiC过程中所产生的3类气体——氯硅烷、烃和HCl;用GC-MS法测定了氯硅烷的含量，用GC法测定了烃的含量，用重水同位素标记GC-MS法测定了氯化氢的含量。 结果：该方法的精密度RS≤5％。加标回收率为88.5％-115％。 结论：所建立方法可应用于SiC合成中气相组分的分析。

关键词： 碳化硅 气相组分分离 氯硅烷 含量测定 加标回收率

作者: 冯小佼 陈海旭 王培 郭治安

作者单位: 西北大学 合成与天然功能分子化学教育部重点实验室,陕西 西安 710069

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国中西部地区色谱学术交流会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: V2.125-126

在线出版日期: 2010-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）