碳纳米管图形化可控生长的研究
碳纳米管以其优异的电学、物理、机械等特性，有可能成为一种理想的场致发射材料。而作为碳纳米管场发射器件实用化的关键步骤：如何实现碳纳米管的图形化生长成为近年来研究的热点。 为了兼顾发射尖端与衬底的良好接触，以及图形化生长的要求，通过对衬底进行腐蚀、绝缘和生长等预处理，形成初级阴极导电图形，在此衬底基础上采用热解CVD工艺生长获得图形化碳纳米管阴极发射阵列。在有方形台阶和条形台阶图形的硅片衬底上，利用酞菁铁作为碳源和催化剂高温热解法生长碳纳米管，通过扫描电镜分析碳纳米管在图形衬底上的生长情况。通过SEM照片发现在台阶的顶部和侧面垂直生长有碳纳米管，而台阶之间生长的碳纳米管很少，有利于图形化定域生长，为实现碳纳米管场发射显示器走向市场打下研究基础。
碳纳米管 图形化生长 场致发射材料 高温热解法
左曙 李昕 刘卫华 朱长纯 肖志豪
西安交通大学电子信息与工程学院 陕西西安 710049
国内会议
银川
中文
87-90
2009-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）