高速微晶硅薄膜沉积功率利用效率的测量与优化
为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积，需要尽可能的优化工艺，特别是提高功率利用效率对于降低生产成本以及提高工艺稳定性都有重要的意义。在射频PECVD 系统中，虽然引入的匹配器对腔室的电抗特性进行变换，以使更多能量能够馈入并耦合入等离子体放电，但是由于寄生电抗的存在，使得匹配器本身成为主要的功率消耗部件。对PECVD 系统的测量发现，实际的功率利用率仅为10％以下，通过对系统硬件的改造，降低了寄生电抗的影响，显著地改善功率传输效率，其利用率达到60％以上。
微晶硅 薄膜沉积 功率利用效率 电抗特性
许盛之 张晓丹 任慧志 赵颖
天津市南开区卫津路94号南开大学光电子所
国内会议
北京
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139-142
2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）