高压RF-PECVD沉积非晶硅锗薄膜太阳能电池

摘要：

本文通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术制备非晶硅锗薄膜太阳电池。主要采用增大反应气体气压的方法，将沉积速率提高至3-4./s。在较高氢稀释结合较高功率的工艺条件下获得光敏性达到105的非晶/微晶过渡区a-SiGe 材料。将此本征a-SiGe 材料应用至p-i-n 型单结a-SiGe 电池，转换效率达到7.13％。

关键词： 非晶硅锗 高压沉积 过渡区材料 射频等离子体增强 化学气相沉积 薄膜太阳能电池

作者: 李超 张建军 倪牮 曹宇 耿新华 赵颖

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国可再生能源学会2011年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 177-180

在线出版日期: 2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）