磁控溅射直接生长绒面氢化Ga掺杂ZnO-TCO薄膜及其稳定性研究
采用直流脉冲磁控溅射工艺在玻璃衬底上直接生长出绒面氢化Ga 掺杂ZnO（HGZO）薄膜。研究 了H2 流量对薄膜结构、表面形貌及光电特性的影响。H2 流量为2sccm 时制备的HGZO 薄膜具有特征尺寸 ~300nm的弹坑状表面形貌，同时迁移率～41cm2/Vs，电阻率～7.18×10-4Ωcm；可见光区域平均透过率～87％， 近红外区域透过率也较好，波长到1100nm 时透过率仍到80％。此外，对制备的HGZO 薄膜在真空和大气 中进行退火实验，研究了HGZO 薄膜实际应用的稳定性问题，实验发现合适H2 流量制备的HGZO 薄膜具 有较优光电性能，同时具有较好的稳定性，能够满足薄膜电池实际应用的要求。
氧化锌薄膜 磁控溅射 绒面结构 稳定性 薄膜太阳能电池
王婓 陈新亮 耿新华 黄茜 张德坤 孙建 魏长春 张晓丹 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
国内会议
北京
中文
287-291
2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）