Si纳米线在新型太阳电池上的应用

摘要：

Si 纳米线因其优异的光电性能在提高太阳电池效率与降低成本上具有很大的潜力，已成为当前太阳电池领域的研究热点。本文首先利用Lorenz-Mie 光散射理论研究了几种典型同轴Si 纳米线的光吸收机理，并结合漂移扩散输运模型建立了同轴Si 纳米线光伏器件物理模型；其次利用金属辅助化学刻蚀（MACE）方法实现了光滑表面Si 纳米线阵列的可控生长，并初步制备了Si/a-Si:H 核壳纳米线阵列；最后采用严格耦合波分析（RCWA）方法研究了两种Si 纳米线阵列的光学性质。

关键词： 单根纳米线 光吸收 太阳电池 光伏器件 物理模型 金属辅助化学刻蚀 光学性质

作者: 刘文富 谢卫强 吴正日 沈文忠

作者单位: 上海交通大学太阳能研究所,上海 200240;黄淮学院电子科学与工程系,河南驻马店 463000 上海交通大学太阳能研究所,上海 200240 Department of Physics, Boston College, Chestnut Hill, Massachusetts 02467, USA 上海交通大学太阳能研究所,上海 200240;太阳能光伏北京市工程研究中心,北京 101102

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国可再生能源学会2011年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 332-335

在线出版日期: 2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）