一种非真空工艺制备ITO薄膜的方法
本文采用了一种非真空法制备ITO 薄膜。将In-Sn 合金颗粒制备成为墨水,采用旋涂,涂覆等方法制备成预置膜,再退火烧结形成ITO 薄膜。通过SEM,透过率,方块电阻等参数的表征,发现制备的ITO 薄膜在透过率和方块电阻上可以与一般的ITO 相当,通过改善预置膜制备和烧结工艺,有望应用于全非真空法制备薄膜太阳电池中。
非真空法 烧结工艺 薄膜太阳电池 ITO薄膜
盛夏 汪雷 杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学材料系
国内会议
北京
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429-431
2011-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)